가공 편차


* PV 가공 편차 + Max: Target(5.5)+0.50 ㎛
* PV 가공 편차 – Max: Target(5.5)-0.30 ㎛

 

< 단위: ㎛ >
Model Target TRY 입광부 중앙부 가공 편차 가공 재현성 편차 Total 편차 비고
입광부-중앙부 입광부 편차(P-V) 중앙부 편차(P-V)
A 5.5 1 5.546 5.600 O -0.054 0.012 0.055 Target -0.054
2 5.534 5.545 O -0.011
B 5.5 1 5.450 5.370 O 0.080 0.110 0.185 Target +0.100
2 5.655 5.555 O 0.100
C 5.5 1 5.545 5.480 O -0.065 0.115 0.005 Target -0.055
2 5.430 5.485 O -0.055
D 5.5 1 5.683 5.520 O 0.163 0.096 0.170 Target +0.163
2 5.675 5.610 O 0.065
3 5.600 5.690 O 0.090
4 5.600 5.540 O 0.060
5 5.589 5.630 O 0.041
E 5.5 1 5.330 5.495 O -0.165 0.170 0.050 Target -0.165
2 5.500 5.510 O -0.010
3 5.450 5.545 O -0.095
4 5.450 5.525 O -0.075
5 5.450 5.525 O -0.075